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2016年04月08日(金)
パワーMOSFETの回路記号：MOSFETの矢印
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ちょいと「ゲートドライブIC」を調べていたら、 こんな内部回路に遭遇。 TIの石です （クリックで拡大↓）  ※赤丸はこちらで記入 通常、パワーMOSFETはこんな記号です。  それが、普通のバイポーラ・トランジスタのように、 ソースに矢印を付けて、電流の向きを示しています。 ある意味、このほうが絶対にわかりやすい。 ジャンクションFETだと、どっちが「ドレイン」か「ソース」 かぱっと見はわかりませんから。  JFETに関しては、こんな書き方も見つかります。  ・http://www.learnabout-electronics.org/fet_01.php ※関連 ・「電子工作」のキホン ・「子供の科学」の回路図記号 ・トラ技の作図能力が落ちている ・住宅地図、近所に「水田」の地図記号 ・回路図での交差信号の描き方 ・トラ技4月号はフレッシャーズ特別号 ・地図展2006 in 大阪 ・トランジスタのコレクタとエミッタを入れ替えてみると |
2016年4月8日 09時59分
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そもそも端子名は電子の流れに着目し、ソースは電子の供給源（ソース）、ドレインは電子の吐出口（ドレン＝ドレイン）ですから。
おっと、釈迦に説法でしたね。
するとなぜバイポーラTRは電流の向きに矢印となったのでしょうか？ダイオードの順方向もそうですねぇ。
>「電子が流れる方向に矢印をつけると覚えやすいと思います。」
MOSFETの矢印、電子の向き（を描いたの）じゃなくって「寄生ダイオード」の表現でしょ。
・検索 ： MOSFETの矢印
>>「電子が流れる方向に矢印をつけると覚えやすいと思います。」
>MOSFETの矢印、電子の向きじゃなくって「寄生ダイオード」の表現でしょ。
寄生ダイオードの表現だと思いますが、なぜに否定形？
※正確には 電子：X 高電圧->低電圧： ○ かと
>ジャンクションFETだと、どっちが「ドレイン」か「ソース」
かぱっと見はわかりませんから。
確かJ-FETだと単純なpn接合なので、D/S逆でも同様に動く筈です。
※厳密にはD側は容量結合を減らす為の細工があるので
高周波だと特性が悪くなる様ですが・・・
・トランジスタのコレクタとエミッタを入れ替えてみると
分かりにくいからと、D、Sの文字を追記したことがあります。
・ウィーンブリッジ発振回路
・１００円ＦＭラジオをワイヤレスマイクに
勉強になります。
「動くわけねー」と頭が拒絶しますが（笑
降伏時の挙動推測は難しいですね。